判断题
硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。
正确
判断题 扩散运动是各向同性的。
判断题 扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
判断题 掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
