单项选择题
内圆切割机切片的速度(),硅材料的损耗很(),效率(),切片后硅片的表面损伤大。
A.慢;小;低 B.快;大;高 C.快;小;高 D.慢;大;低
单项选择题 目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺,肩部形成一个近()的夹角。
单项选择题 粒子()差别的存在是产生扩散运动的必要条件。
单项选择题 硅片清洗必须按照()的次序清洗,才能除去硅片表面的油脂、蜡等有机物。