问答题 采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？

问答题 设计一个VOL=0.6V的电阻负载反相器，增强型驱动晶体管VT0=1V， VDD=5V  1）求VIL和VIH   2）求噪声容限VNML和VNMH

问答题 考虑一个电阻负载反相器电路：VDD=5V，KN`=20uA/V2 ，VT0=0.8V，RL=200KΩ，W/L=2。计算VTC曲线上的临界电压值（VOL、VOH、VIL、VIH）及电路的噪声容限，并评价该直流反相器的设计质量。