单项选择题
CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）
A.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长B.缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长C.等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长D.放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
单项选择题 在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）
单项选择题 吸附时不发生任何化学变化，是（）
单项选择题 微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（）
