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高频电子线路学

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问答题

计算题

N沟道结型场效应管混频器如图所示。已知场效应管参数IDSS=4mA,Vp=-4V,本振电压振幅UL=1.8V,源极电阻Re=2kΩ。试求;
(1)静态工作点的gmQ及变频跨导gC;
(2)输入正弦信号幅度为lmV时,问漏极电流中频率为ωs、ωL、ωI的分量各为多少?
(3)当工作点不超出平方律范围时,能否说实现了理想混频而不存在各种干扰?

【参考答案】


(3)当工作点不超过平方律范围时,仍然会出现其他频率分量,如ωL、ωS、2ωS、2ωL、ωL+ωS,所以仍有失真。

相关考题

问答题 图示为场效应管混频器。已知场效应管静态转移特性为iD=IDSS(1-uGS/VP)2,式中,IDSS=3mA,VP=-3V.。输出回路谐振于465kHz,回路空载品质因数Q0=100,RL=1kΩ,回路电容C=600pF,接入系数n=1/7,电容C1、C2、C3对高频均可视为短路。现调整本振电压和自给偏置电阻Rs,保证场效应管工作在平方律特性区内,试求: (1)为获得最大变频跨导所需的UL; (2)最大变频跨导gC和相应的混频电压增益。

问答题 设一非线性器件的静态伏安特性如图所示,其中斜率为a;设本振电压的振幅UL=E0。求当本振电压在下列四种情况下的变频跨导gC。 (1)偏压为E0; (2)偏压为E0/2; (3)偏压为零; (4)偏压为-E0/2。

问答题 已知混频器晶体三极管转移特性为:iC=a0+a2u2+a3u3,式中,u=UScosωSt+ULcosωLt,UL>>US,求混频器对于及(ωL-ωS)及(2ωL-ωS)的变频跨导。

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