多项选择题

A.高真空工艺单晶炉膛保持10-3乇或更高的真空度
B.低真空工艺单晶炉膛内真空度保持10-1~10-2
C.在拉制硅单晶时一次充入单晶炉膛内0.2~0.4kg压强高纯氩气(表压),称为不流动气氛
D.拉制硅单晶时,连续不断地向单晶炉膛内充入高纯氩,保护炉膛内气体是正压(表压),同时又使部分氩气沿管道向外溢出,这种工艺称为流动气氛