多项选择题
以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）
A.沟道长度增加B.阈值电压提高C.栅氧化层厚度减小D.沟道宽度增加
多项选择题 防止基区穿通的措施是提高（）。
多项选择题 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。
多项选择题 PN结之所以具有反向恢复过程是由于（）。
