单项选择题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）
A.VS≥2VBB.VS＞VBC.VS≤2VBD.VS＜VB
单项选择题 金属和半导体接触的整流特性可用于（）
单项选择题 整流接触的特征是（）
单项选择题 在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？（）
