单项选择题 杂质半导体进入全电离的温度存在（）规律，进入本征激发区的温度存在（）规律。

单项选择题 对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（）成反比，大注入时则与（）成反比。Δ

单项选择题 有4个硅样品，其掺杂情况分别是：甲：含砷1×1015cm-3；乙：含硼和磷各1×1017cm-3；丙：含硼1×1017cm-3；丁：含砷1×1017cm-3。室温下假设杂质完全电离，则这些样品的空穴浓度由高到低的顺序是（）。