单项选择题
反应离子刻蚀的过程简单来说是（）
A.电离→解吸、排放→轰击→扩散、反应B.轰击→电离→扩散、反应→解吸、排放C.电离→扩散、反应→轰击→解吸、排放D.电离→轰击→扩散、反应→解吸、排放
单项选择题 金属钨在集成电路中通常用于（）
单项选择题 铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种子层不连续可能导致电镀的铜产生（）
单项选择题 利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）
