问答题
Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？
①Poly 的CD（尺寸大小控制； ②避免Gate oxie 被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.
问答题 Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些？
问答题 一般的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤?
问答题 一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤？ 功能为何？
