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微电子器件与IC设计基础

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单项选择题

某N沟道耗尽型MOSFET,其阈值电压为-2V,增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V,漏极电压为4V时,器件的漏源电流为()。

A.40A
B.25A
C.36A
D.12A

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