判断题
陷阱中心的存在会增加少子寿命。
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判断题 对于掺杂浓度一定的Si半导体材料,温度越高,载流子浓度越高。
判断题 浅受主能级也能成为有效的复合中心。
判断题 对于本征半导体,EF几乎和Ei重合。