单项选择题
金属钨在集成电路中通常用于()
A.填充塞B.金属连线C.阻挡层D.焊接层
单项选择题 铜电镀之前,需要沿着侧壁和底部,淀积一层连续的薄种子层,若种子层不连续可能导致电镀的铜产生()
单项选择题 利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面,撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是()
单项选择题 解决铝尖刺的方法有()