填空题
目前使用的（）可多次写入的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。
EPROM；浮置栅
填空题 RAM主要包括（）、存储矩阵和读/写控制电路等部分。
填空题 存储器的主要技术指标有存储容量、存取速度、功耗、可靠性和（）等。
填空题 GAL的与（），或阵列固定。
