问答题 一截面为0.6cm2，长为1cm的n型GaAs样品，设μn=8000cm2/V.s，n=1015cm3，试求该样品的电阻。

问答题 设电子迁移率为0.1cm2/V.s，硅的电子有效质量mcn=0.26m0，如加以强度为104V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。

问答题 在500g的硅单晶中掺有4.5×10-5g的硼，设杂质全部电离，求该材料的电阻率（设μp=400cm2/V.s），硅单密度为2.33g/cm3，硼的原子量为10.8）。