多项选择题
在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似？（）
A.沟道迁移率恒定近似B.耗尽近似C.强反型近似D.缓变沟道近似
多项选择题 MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）
多项选择题 影响MOSFET阈值电压的因素有（）。
多项选择题 双极型晶体管的基区输运系数的表达式为（）。
