多项选择题
硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？（）
A.杂质表面浓度< NsB.杂质表面浓度=NsC.应再扩散71minD.表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度
单项选择题 多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备？（）
单项选择题 基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。
单项选择题 CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO2）的密度（）
