单项选择题
根据构成能障的界面情况的不同，形核方式包括（）
A.螺旋位错生长 B.旋转孪晶生长 C.反射孪晶生长 D.均质形核
单项选择题 异质形核速率与下列哪种方式无关（）
单项选择题 晶体宏观长大方式包括（）
