填空题
干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。
反应离子
填空题 多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，（）蒸发两种。
填空题 制备TiO2等介质薄膜可以采用（）溅射方法。
填空题 在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时，硅片增厚了（）μm。
