单项选择题
热氧化法生长100个单位厚度的二氧化硅会消耗()个单位厚度的硅。
A.44B.56C.54D.46
单项选择题 二氧化硅可以用作扩散掩蔽膜的原因是()
单项选择题 集成电路制造工艺中,制备二氧化硅的方法有()
单项选择题 硅氧四面体由()组成。