多项选择题
对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
A.掺入n型杂质B.掺入p型杂质C.本征激发D.引入深能级
多项选择题 下面（）过程属于间接复合的微观过程。
多项选择题 根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）
多项选择题 杂质能级的作用包括以下（）
