单项选择题
电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′n=100μA/V2，忽略沟道长度调制效应，则电阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25B.4，6C.3，7D.3.25，5
单项选择题 在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。
单项选择题 某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。
单项选择题 NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS（）Vt，uDS（）uGS-Vt。
