多项选择题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有（）
A.本征状态B.多子耗尽C.少子反型D.平坦能带
多项选择题 以下物理参量中，不随半导体掺杂浓度变化的是（）
多项选择题 关于价带中的空穴，以下描述正确的是（）
单项选择题 什么是超晶格结构？（）
