单项选择题
氧化层上表面的二氧化硅是()生长的。
A.最后B.最先C.随机D.中间
单项选择题 氧化速率跟氧化温度之间的关系是什么()
单项选择题 ()可以很大程度降低氧化层钠离子的沾污。
单项选择题 热氧化法生长100个单位厚度的二氧化硅会消耗()个单位厚度的硅。