单项选择题
已知仅掺杂磷的n型硅样品，且其室温时的电阻率为10Ω·cm，则其掺杂浓度最可能为（）cm-3。
A.1.3×1013
B.1.3×1014
C.1.3×1015
D.1.3×1016
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单项选择题
下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（）。
A.表示单位电场下的电流大小
B.与电场大小无关
C.只要本征激发不起主导作用，温度越高，则电导率越大
D.室温下，同一块本征硅的电子电导率比空穴电导率大 -
单项选择题
对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要的散射机制是（）。
A.电离杂质散射
B.库仑散射
C.声学波声子散射
D.光学波声子散射 -
多项选择题
决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。
A.禁带宽度
B.电导有效质量
C.状态密度有效质量
D.温度
