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单项选择题
半导体PN，断路时出现空乏区是为了（）
A.制止扩散电流
B.制止漂移电流
C.增加扩散电流
D.增加漂移电流，以达热平衡 -
单项选择题
光电二极管之逆向电流与入射光强度成（）
A.正比
B.平方成正比
C.立方成正比
D.平方成反比 -
单项选择题
二极管由P型材料与N型材料接合而成，当二极管被反偏时的电流称为逆向饱和电流，逆向饱和电流的大小主要与下列何者有关？（）
A.二极管所在环境的温度
B.反向偏压的大小
C.加反向偏压的时间
D.与反向偏压的大小、加反向偏压的时间同时有关
