相关考题
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多项选择题
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）
A.表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
B.表面处费米能级与本征费米能级重合
C.表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央
D.表面势等于费米势的两倍 -
多项选择题
当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）
A.多子反型
B.少子耗尽
C.多子积累
D.少子反型 -
多项选择题
理想MIS结构必须满足的条件有（）
A.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电
B.绝缘层材料为二氧化硅
C.半导体必须为本征半导体
D.金属与半导体的功函数差为零
