单项选择题
对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）
A.Ec
B.位于EF以下，且很接近EF的能级
C.Ei
D.位于EF以上，且很接近EF的能级
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单项选择题
对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）
A.1/ni
B.1/△p
C.1/p0
D.1/n0 -
单项选择题
若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）
A.不含任何杂质
B.不含受主杂质
C.处于绝对零度
D.不含施主杂质 -
单项选择题
对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（）
A.Ge
B.Si
C.SiC
D.GaAs
