单项选择题
一维紧束缚模型下，E（k）=εi-J0-2J1cos（ka），能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为（）
A.-h2/（2J1a2），-h2/（2J1a2）
B.h2/（2J1a2），h2/（2J1a2）
C.-h2/（2J1a2），h2/（2J1a2）
D.（2J1a2）/h2，（2J1a2）/h2
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单项选择题
关于空穴的性质以下说法错误的是（）
A.只有半导体中有空穴
B.波矢为k空穴的准经典运动速度为波矢为k的电子的准经典运动速度v（k）
C.空穴有效质量为正值
D.空穴可以描述近满带的导电性 -
单项选择题
一维紧束缚模型下，E（k）=εi-J0-2J1cos（ka），准经典运动速度为正的极大值时对应的第一布里渊区的波矢为（）
A.k=0
B.k=π/a
C.k=-π/2a
D.k=π/2a -
单项选择题
关于能带中电子准经典运动速度的说法哪个是错误的？（）
A.E（k）对k的二阶导数为零的k点对应着准经典运动速度为零
B.在外加恒定电场下，如果不考虑晶格散射和杂质散射，电子将在第一布里渊区往返做振荡，称为布洛赫振荡
C.根据能带的对称性E（k）=E（-k），得出准经典运动速度v（k）=-v（-k）
D.在能带顶或者能带底，电子的准经典运动速度为0
