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                                    单项选择题
                                    
 下列材料中电阻率最低的是()。
 A.铝 
 B.铜
 C.多晶硅
 D.金
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                                    多项选择题
                                    
 在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。
 A.晶圆顶层的保护层 
 B.多层金属的介质层
 C.多晶硅与金属之间的绝缘层
 D.掺杂阻挡层
 E.晶圆片上器件之间的隔离
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                                    多项选择题
                                    
 在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。
 A.使薄膜的介电常数变大 
 B.可能引入杂质
 C.可能使薄膜层间短路
 D.使薄膜介电常数变小
 E.可能使薄膜厚度增加
 
             
             
                
            