相关考题
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单项选择题
渗透蒸发过程的推动力为()。
A.进出料温度差
B.膜两侧压力差
C.待分离组分在膜两侧的分压差
D.膜的选择性 -
单项选择题
以下适合进行干法粉碎的情况是()。
A.溶剂与粉碎设备不相容
B.原料热敏
C.造粒溶剂与结晶溶剂一致
D.低熔点化合物 -
单项选择题
在抗溶结晶中,为了维持结晶过程中的过饱和度,主要要控制()。
A.结晶时间
B.抗溶剂的用量
C.抗溶剂的添加速率
D.晶种的量