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问答题
计算题
在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为10
14
cm
-3
，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。
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问答题
473K时硅的求本征硅的电阻率ρi。
问答题
掺硼1.1×1016cm-3和磷9×1015cm-3的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μn=1000cm2/v·s，空穴迁移率μp=360cm2/v·s，求电阻率。
问答题
设电子和空穴的迁移率分别为1350cm2/V·S和500cm2/V·S，试计算本征硅在300K下的电导率。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率，并将其与本征硅的电导率进行比较。
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