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单项选择题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）
A.VS≥2VB
B.VS＞VB
C.VS≤2VB
D.VS＜VB -
单项选择题
金属和半导体接触的整流特性可用于（）
A.制作晶体管
B.制作肖特基势垒二极管
C.给半导体器件接出金属引线
D.制作PN结二极管 -
单项选择题
整流接触的特征是（）
A.具有单向导电特性
B.其正反偏置的电流输运特征没有差别
C.具有双向导电特性
D.接触引入的电阻很小
