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薄膜物理与技术
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单项选择题
以下哪一个不是连续薄膜的生长方式？（）
A.熔结
B.原子填充
C.吞并
D.原子团迁移
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判断题
对于LPCVD Si3N4工艺，NH3/DCS比例越小颗粒改善越明显。（）
判断题
在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）
判断题
Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）
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