相关考题
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多项选择题
以下对于硅材料特性的描述正确的是（）。
A.电子迁移率高，高频性能好
B.发光效率高
C.器件工作温度高（达250℃）
D.容易形成结构高度稳定的绝缘层 -
多项选择题
形成P型硅的掺杂剂是（）。
A.铝
B.硼
C.砷
D.锑 -
单项选择题
以下对于II-VI族半导体描述错误的是（）。
A.熔点随着原子序数的增加而增加
B.其导电类型可以通过改变气相的分压来改变
C.离子注入可以抑制自补偿效应
D.碲化镉具有较高的吸光系数，可以制备太阳电池
