单项选择题
关于NMOSFET发生GIDL现象时，描述错误的是（）。
A.电子流向漏极
B.空穴流向源极
C.现象区处于强反型状态
D.p+区价带中的电子隧穿至n+区的导带内
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单项选择题
在恒定电场缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则门延迟为原器件的（）倍。
A.1/k3
B.1/k
C.1
D.1/k2 -
单项选择题
当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是（）。
A.1.5V
B.0.5V
C.1V
D.1.8V -
单项选择题
在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅，其原因是（）。
A.p+多晶硅栅具有较大功函数
B.p+多晶硅栅具有更低电阻率
C.p+多晶硅栅可以做成埋沟器件
D.p+多晶硅栅适合自对准工艺
