单项选择题
下面关于可编程逻辑器件工艺描述正确的是（）。
A.采用熔丝和反熔丝工艺的可编程逻辑器件可以反复编程
B.采用Flash工艺的可编程逻辑器件不可以反复编程
C.采用SRAM工艺的可编程逻辑器件可以反复编程
D.采用掩模工艺的可编程逻辑器件可以反复编程
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单项选择题
下面有关有限自动状态机不正确的描述是（）。
A.当有限自动状态机使用3个比特位进行状态编码时，该有限自动状态机最多可以有8个状态
B.有限自动状态机包括状态转移逻辑、状态寄存器和输出逻辑三部分
C.有限自动状态机的下状态转移逻辑属于时序逻辑电路
D.有限自动状态机分为摩尔状态机和米勒状态机两种类型 -
单项选择题
下面关于基本RS锁存器描述，不正确的是（）。
A.基本RS锁存器不会出现不期望的状态
B.基本RS锁存器内部存在反馈路径
C.当基本RS锁存器的两个输入端均为高电平时，该锁存器处于保持状态
D.一个基本RS锁存器包含两个与非门 -
单项选择题
一个CMOS的逻辑异与非门电路，所需要最少晶体管的数量（）。
A.6
B.5
C.3
D.4
