欢迎来到易学考试网 易学考试官网
全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 集成电路版图

单项选择题

在短沟道MOS器件中,当器件工作在饱和区,源漏电压升高,会使源漏电流()

    A.增大
    B.减小
    C.不变
    D.先减小后增大

点击查看答案&解析

相关考题

微信小程序免费搜题
微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题