问答题
计算题
轻掺杂的硅样品在室外温下，外加电压使电子的漂移速度是它的热运动速度 的十分之一，一个电子由于漂移而通过1μm区域中的平均碰撞次数和此时加在这个区域的电压为多少？
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（1）证明，且电子浓度，空穴浓度时，材料的电导率σ最小，并求出σmin的表达式。 （2）试求300K时，InSb的最小电导率和最大电导率，什么导电类型的材料电阻率可达最大？（T=300K时，InSb的） -
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一截在为10-3cm2，掺有杂质浓度NA=1013/cm3的P型硅样品，在样品内加有强度为103V/cm的电场，求： （1）室外温时样品的电导率及流过样品的电流密度。 （2）400K时样品的电导率及流过样品的电流密度。
