单项选择题
理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。
A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化
B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
C.半导体发生了深耗尽
D.半导体表面附近的电子不能产生
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单项选择题
降低基区掺杂浓度，（）。
A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应
B.有利于抑制发射极电流集边效应和Early效应
C.不利于抑制发射极电流集边效应和Early效应
D.有利于抑制发射极电流集边效应，不利于抑制Early效应 -
单项选择题
不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（）。
A.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小
B.发射区过高掺杂易诱发基区穿通
C.发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低
D.发射区过高掺杂易发生基区大注入效应 -
单项选择题
双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。
A.该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定
B.该复合电流影响对两种管子同样大
C.该复合电流影响对硅管大，对锗管小
D.该复合电流影响对锗管大，对硅管小
