单项选择题
关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有（）
A.一般希望PN结的击穿电压尽可能的大一些
B.雪崩击穿电压一般比隧道击穿电压小一些
C.隧道击穿比较常见
D.一旦击穿，PN结就损毁了
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单项选择题
要想减小一个P+N结的结电容，可以采用的方法有（）
A.降低NA
B.提高NA
C.降低ND
D.提高ND -
单项选择题
以下关于PN结电容说法正确的是（）
A.正向电压增大时，势垒电容增大
B.正向电压增大时，扩散电容减小
C.反向电压增大时，势垒电容增大
D.势垒电容是一种可变电容，扩散电容是一种固定电容 -
单项选择题
已知PN结中，P区杂质7X1015cm-3，N区杂质5X1016cm-3，则在5V的反向电压作用下：（）
A.势垒区主要向N区一侧扩展
B.势垒区宽度相对于平衡PN结变小
C.P区一侧的势垒区中的电荷量更大
D.N区一侧势垒区宽度比P区一侧势垒区宽度小
