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单项选择题
下列（）不是抑制CMOS闩锁效应的方法。
A.降低少子复合寿命
B.降低电源电压
C.缩小器件尺寸
D.减小衬底/阱的体电阻 -
单项选择题
开关速度最快的MOS反相器是（）。
A.E-R MOS（电阻型负载）
B.E-E MOS
C.E-D MOS
D.无法确定 -
单项选择题
在推导MOSFET电流方程时，假设沟道区不存在产生复合电流。若严格考虑，MOSFET正常工作时，（）。
A.沟道区同时存在产生电流和复合电流，但可相互抵消
B.沟道区既不存在产生电流，也不存在复合电流
C.沟道区存在复合电流
D.沟道区存在产生电流
