填空题
免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入电荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。
【参考答案】
降低；增加基区宽度（即P-NMOS管的间距和阱深）；增加基区掺杂；保护环；采用深槽隔离；采用SOI材料作衬底
点击查看答案
