多项选择题
单晶硅生长时，晶体中的纵向温度梯度过大时会导致什么结果（）
A.晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉，单晶硅温度会增高，结晶界面温度随着增高，熔体表面的过冷度减小，单晶硅的正常生长就会受到影响
B.由于晶体散热快，熔体表面一部分热量也散掉，结晶界面温度会降低
C.会导致结晶界面温度降低，表面过冷度增大，可能产生新的不规则的晶核，使晶体变成多晶
D.导致熔体表面过冷度增大，单晶可能产生大量结构缺陷
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多项选择题
单晶硅生长时，晶体中的温度梯度描述正确的是（）
A.只有在温度梯度足够大时，才能单晶硅生长产生的结晶潜热及时传走，散掉，保持结晶界面温度稳定
B.如果温度梯度较小，晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉，单晶硅温度会增高，结晶界面温度随着增高，熔体表面的过冷度减小，单晶硅的正常生长就会受到影响
C.只有在温度梯度足够小时，才能单晶硅生长产生的结晶潜热及时传走，散掉，保持结晶界面温度稳定
D.如果温度梯度较大，晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉，单晶硅温度会增高，结晶界面温度随着增高，熔体表面的过冷度减小，单晶硅的正常生长就会受到影响 -
多项选择题
温度梯度在拉晶过程中主要起哪些作用（）
A.晶体中离结晶界面越远，温度越低，温度梯度越大单晶硅生长产生的结晶潜热及时传走，散掉，保持结晶界面温度稳定
B.熔体中离结晶界面越远，温度越低，温度梯度越大单晶硅生长产生的结晶潜热及时传走，散掉，保持结晶界面温度稳定
C.晶体中离液面越远温度越高，即使有较小的温度降低，生长界面以下熔体温度高于结晶温度，不会使晶体局部生长较快，生长界面较平坦的，晶体生长是稳定的
D.熔体中离液面越远温度越高，即使有较小的温度降低，生长界面以下熔体温度高于结晶温度，不会使晶体局部生长较快，生长界面较平坦的，晶体生长是稳定的 -
多项选择题
静态热场是由哪些因素决定的（）
A.加热器
B.保温系统
C.结晶潜热
D.坩埚位置
