单项选择题
金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响（）。
A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性
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单项选择题
GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，（）
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B.载流子迁移率增大
C.载流子寿命变大
D.载流子浓度变小 -
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A.本征半导体
B.杂质半导体
C.金属导体
D.简并半导体 -
单项选择题
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A.复合机构
B.散射机构
C.禁带宽度
D.晶体结构
