单项选择题
一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）
A.其阈值电压应该是正的
B.强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的
C.积累状态时所加的栅电压应该是负的
D.其费米势应该是负的
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A.fM
B.fα
C.fβ
D.fT -
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单项选择题
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A.10
B.14
C.12
D.8
