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单项选择题
Si晶体的第一布里渊区是个（）体。
A.正菱形12面体
B.球体
C.截角8面体
D.立方体 -
单项选择题
衬源短接的增强型NMOSFET，VDS>0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在（）。
A.漏区
B.沟道区靠近漏区一侧
C.沟道区靠近源区一侧
D.源区 -
单项选择题
在MOS缩微中，下列参数（）最易按缩微因子成比例改变。
A.ION
B.阈值电压
C.漏结扩散势
D.IOFF
