单项选择题
有4个硅样品，其掺杂情况分别是：
甲：含砷1×1015cm-3；
乙：含硼和磷各1×1017cm-3；
丙：含硼1×1017cm-3；
丁：含砷1×1017cm-3。
室温下假设杂质完全电离，则这些样品的空穴浓度由高到低的顺序是（）。
A.丁甲乙丙
B.甲丙丁乙
C.丙乙甲丁
D.丁丙甲乙
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单项选择题
最有效的陷阱对应的陷阱能级位于（）。
A.EF
B.Ei
C.Ec
D.Ev -
单项选择题
对本征半导体，温度越（）则本征载流子浓度越高；在相同温度下，禁带宽度越窄的半导体，则本征载流子浓度越（）。
A.低；低
B.低；高
C.高；低
D.高；高 -
单项选择题
ND＞NA的半导体因以（）导电为主而成为（）半导体。
A.空穴；N型
B.电子；P型
C.空穴；P型
D.电子；N型
