欢迎来到易学考试网 易学考试官网
全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 集成电路技术 > 集成电路工艺原理

填空题

SiO2-Si界面的杂质分凝:()过程中,()在两种材料中重新分布,()吸引受主杂质(B)、排斥施主杂质(P、As)。

    【参考答案】

    高温;杂质;氧化硅

    点击查看答案
    微信小程序免费搜题
    微信扫一扫,加关注免费搜题

    微信扫一扫,加关注免费搜题